晶体管的偏置电压和输出偏见
关键的外卖
晶体管偏压使晶体管的模拟和数字操作成为可能。
没有晶体管偏压,以下是放大器在负载终端无法交付所需的输出。
晶体管的偏置电压的最优值等于两倍所需的交流输出电压峰值。如果你改变晶体管的偏置电压,Q-point也将改变其位置。
手机电池没电就像一个没有偏见的晶体管
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这种情况可以被映射到一个晶体管没有适当的晶体管的偏置。晶体管的偏置(直流偏压)是一个过程,提供适当的直流电压或电流的晶体管的电子电路的正常运行。晶体管的行为就像一个死去的电话没有直流偏压时。任何应用程序,一个稳定的直流偏压对晶体管的正常运作是必需的。让我们看看偏压定义了晶体管的操作。
晶体管的偏置和操作区域
的双极结型晶体管(是)是一个模拟装置的应用,如放大器、振荡器等在转换器和开关电路或数字设备。这种双重作用的晶体管是晶体管偏压而实现的。
偏应用的两个PN结晶体管大多数航空公司的运动从而影响晶体管的行为。晶体管的偏置在一个放大器是完全不同于在一个电晶体转换器。怎么给细节操作和偏压条件的地区在晶体管发射极和集电极连接作为一个运营模拟和数字设备。
怎么操作和偏压条件的地区在一个晶体管
* (FB-Forward偏见,RB -反向偏压)
偏置电路的晶体管开关驱动电路通常被称为基地。我们正在讨论晶体管晶体管放大器的偏置中。
晶体管放大器背后的秘密
通常情况下,晶体管放大器其输入和输出之间共享一个共同的终端和Table.2给出了三种可能的配置。
Table.2晶体管配置细节
Figure.1基本CE放大器
让我们抓住一个CE硅NPN型晶体管放大器(Figure.1所示)。E和C连接可以提供从单个V直流电压cc因为它满足提供输入晶体管电流的主要目的。当一个交流信号V在V与偏置电压叠加CC,它同样不等我B关于时间。鉴于在Table.2 CE放大器的关系是听从我c遵循我的形状B。的电流增益用晶体管的数据表是我的比例常数c——我B的关系。的电压降CRl给出了交流输出电压V出。
你认为没有直流偏压放大是可能的吗?如果是这样,断开Vcc从基础和预测V出。我们知道EB结仍然是只有FB V的瞬时值在> 0.7 V (EB电压降),否则RB。现在将这一概念与负半周,瞬间V在< 0.7。占,你应该坐在无电压。
确定最优的偏置电压
在Figure.1,耦合电容C我和Cc包括阻止直流分量分别输入和输出。如果Cc删除,V输出电压出V的直流转变cc电压。
现在,如果你想设计一个放大器给10 V的输出交流电压峰值,偏压什么你会喜欢吗?你的回答等于10 V ?哦,没问题,我们会一步一步算出来。
你知道电压前后Cc。这是(10 V交流峰值电压+ Vcc),分别为10 V交流峰值电压。如果你正在寻找对称C后10 V交流输出电压峰值c,Vcc应该至少20 V,对吧?如果没有,会发生什么?输出电压输出电压的不对称和峰值不满足要求。自信,我们可以说最优Vcc应该是2 * (V峰值振幅的期望出)。如果你能添加晶体管电压降和源电阻上述计算,Vcc成为最优。
Q-Point容易晶体管的偏置电压吗?
一旦Vcc电路中连接,IB开始循环(Figure.1)。从Figure.2,可见,对于每个IB,存在一组(VCE,我C)坐标。(VCE,我C),我B提供从Vcc在0 V在被称为直流操作点或静态工作点(Q-point)。对于一个线性晶体管放大器,它是明智的保持Q-point中间的活跃的地区。
的十字路口是Figure.2 Q-point CE晶体管的直流负载线和输出特性
如何把Q-point中间的活跃区域?我这可以通过调整来实现B由Vcc使用限制电阻RB之间插入Vcc和晶体管基础。偏置电路设计有两个注意事项:-
我B应该保持活跃地区的中间即使AC波动由于V在介绍了。这保证了稳定和线性放大器的操作。
(VCE,我C)对应于这些我B波动应该在(VCE坐,我C,坐)限制晶体管数据表中给出。
有许多的组合(VCE,我C)满足上述标准选择我B曲线。这选择修复Q-point在什么地方吗B曲线?这可以通过画来解决直流负载线。线连接的最大可能的我c和VCE放大器的电路称为直流负载线。
应用在任一瞬间放大器的输出端(Figure.1)直流偏压条件(Cc内部阻力忽略),我们得到的
VCE= Vcc-我CRl(1)
最大可能的我C和VCE由方程(2)和(3)分别吗
VCE,马克斯= Vcc在我C= 0 (2)
我C,马克斯= Vcc/ Rl在VCE= 0 (3)
十字路口的直流负载线选择我B曲线的理想Q-point忠实的操作你的放大器。
对于一个给定的放大器,Q-point向上变化与V的上升cc反之亦然。现在,什么是你的推理的Q-point晶体管放大器,Vcc是不断波动?是的,完全正确!我们需要一个稳定的无失真放大晶体管偏压。
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